目前，國內(nèi)外對于igbt器件失效的研究眾多，主要從兩方面入手，一方面是考慮器件自身的工作循環(huán)，另一方面是考慮器件的實際工況環(huán)境，研究表明IGBT失效是由內(nèi)部工作循環(huán)及外部工況同時作用導(dǎo)致的，其失效機理復(fù)雜，失效模式主要分為封裝類失效及芯片類失效，如圖2-2所示。